紫外光刻機廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、生物器件和納米技術(shù)。并且，該系列光刻機已被多家企業(yè)、研發(fā)中心、科研院所、大專院校采用作為其光刻系統(tǒng)的基礎(chǔ)；其過硬的技術(shù)、良好的服務(wù)贏得了廣大用戶的青睞。作為光刻系統(tǒng)，其重要技術(shù)在于以下兩個方面：掩模晶圓對準(zhǔn)和將掩模上的圖案復(fù)制到晶圓上，為下一步或離子注入工藝做準(zhǔn)備。

　　紫外光刻機的曝光方式采用壓力可調(diào)的接觸曝光，有效減少光刻膠對掩模版的污染和掩模版的磨損，從而提高掩模版的使用壽命。該機采用i-line紫外曝光光源，光學(xué)系統(tǒng)采用特殊的抗衍射和線陡增強技術(shù)，采用積木錯位繩眼透鏡實現(xiàn)高光均勻照明，配備雙目雙目顯微鏡和CCD圖像對準(zhǔn)系統(tǒng)（可以同時使用）。具有高曝光能量、小聚焦角、厚膠曝光功能。曝光設(shè)置微電腦控制，菜單界面友好，操作簡單。

 

　　該設(shè)備采用CCD圖像底部對準(zhǔn)技術(shù)和單曝光頭正面曝光的整體設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)雙面對準(zhǔn)。采用新穎的高精度、多自由度掩模樣品精密對準(zhǔn)工作臺結(jié)構(gòu)設(shè)計，掩模樣品對準(zhǔn)過程直觀，雕刻對準(zhǔn)速度快，精度高。掩模板和樣品的放置采用推拉式參考板和真空吸附，操作方便。該裝置可用于用紫外光照射正膠或負(fù)膠，通過顯影可對樣品進(jìn)行精細(xì)圖案化。

　　紫外光刻機適用于所有標(biāo)準(zhǔn)化光刻應(yīng)用，帶有頂部和底部對齊系統(tǒng)。底部對位系統(tǒng)允許對基板的上下表面進(jìn)行圖形加工，適用于三五組易碎化合物、不規(guī)則基板、透明基板和碎片的微加工。具有鍵合對準(zhǔn)升級功能和衍射減少光學(xué)系統(tǒng)。曝光方式可以是近距離接觸、軟接觸、硬接觸和真空接觸。